-
1 silicon insulated-gate field-effect transistor
Information technology: SIGFETУниверсальный русско-английский словарь > silicon insulated-gate field-effect transistor
-
2 МОП-транзистор с кремниевым затвором
1) Engineering: silicon-gate MOS transistor, silicon-insulated-gate FET2) Information technology: silicon insulated-gate field-effect transistor3) Microelectronics: silicon-gate transistorУниверсальный русско-английский словарь > МОП-транзистор с кремниевым затвором
-
3 канальный транзистор с изолированным кремниевым затвором
1) Engineering: silicon-insulated-gate FET2) Information technology: silicon insulated-gate field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > канальный транзистор с изолированным кремниевым затвором
-
4 полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором
1) Engineering: silicon-insulated-gate FET2) Information technology: silicon insulated-gate field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором
-
5 униполярный транзистор с изолированным кремниевым затвором
Information technology: silicon insulated-gate field-effect transistorУниверсальный русско-английский словарь > униполярный транзистор с изолированным кремниевым затвором
-
6 транзистор
crystal triode, semiconductor triode* * *транзи́стор м.
transistorбыть вы́полненным по́лностью на транзи́сторах — be fully transistorizedвключа́ть транзи́стор по схе́ме, напр. с о́бщей ба́зой — connect a transistor in, e. g., a common-base [grounded-base] circuitзапира́ть транзи́стор — drive a transistor to cut-off, cut off [turn off] a transistorиспо́льзовать транзи́стор в акти́вном режи́ме [в акти́вной о́бласти] — bring a transistor into its active regionтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме насыще́ния [в о́бласти насыще́ния] — the transistor is at saturationтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме обедне́ния — the transistor operates in the depletion modeтранзи́стор нахо́дится [рабо́тает] в режи́ме отсе́чки [в о́бласти отсе́чки] — the transistor is [operating] at cut-offотпере́ть транзи́стор — render a transistor conductive, turn on a transistorанало́говый транзи́стор — analog transistorтранзи́стор бегу́щей волны́ — travelling-wave transistorбездре́йфовый транзи́стор — diffusion transistorбиполя́рный транзи́стор — bipolar transistorбу́синковый транзи́стор — bead transistorва́куумно-осаждё́нный транзи́стор — vacuum deposited transistorвы́ращенный транзи́стор — grown(-junction) transistorвысокочасто́тный транзи́стор — high-frequency transistorгерма́ниевый транзи́стор — germanium transistorтранзи́стор двойно́го леги́рования — double-doped transistorдвухба́зовый транзи́стор — double-base transistorдвухколле́кторный транзи́стор — double-collector transistorдвухэми́ттерный транзи́стор — double-emitter transistorдискре́тный транзи́стор — discrete transistorдиффузио́нный транзи́стор ( изгоговленный по диффузионной технологии) — diffused transistor (не путать с бездре́йфовым транзи́стором diffusion transistor, где diffusion указывает на характер движения носителей)транзи́стор для логи́ческой схе́мы — logic transistorтранзи́стор для переключа́тельных схем — switching(-type) transistorдре́йфовый транзи́стор — drift transistorизоли́рованный транзи́стор ( в монолитной интегральной схеме) — isolated transistorинтегра́льный транзи́стор — integrated transistorкана́льный транзи́стор — field-effect [unipolar] transistorконверсио́нный транзи́стор — post-alloy diffused transistorкре́мниевый транзи́стор — silicon transistorлави́нный транзи́стор — avalanche transistorтранзи́стор, леги́рованный зо́лотом — gold-doped transistorМДП-транзи́стор — insulated-gate field-effect transistor, IGFETМДП-транзи́стор с индуци́рованным кана́лом — induced-channel insulated-gate field-effect transistor, induced-channel IGFETМДП-транзи́стор с проводя́щим кана́лом — conductive-channel insulated-gate field-effect transistor, conductive-channel IGFETме́за-транзи́стор — mesa transistorмикросплавно́й транзи́стор — microalloy transistorтранзи́стор микросхе́мы — transistor microelementМОП-транзи́стор — metal-oxide-semiconductor transistor, MOS-transistor, MOSFETМОП-транзи́стор, рабо́тающий в режи́ме обедне́ния — depletion-mode metal-oxide-semiconductor transistor, depletion-mode MOS-transistor, depletion-mode MOSFETМОП-транзи́стор, рабо́тающий в режи́ме обогаще́ния — enhancement-mode metal-oxide-semiconductor transistor, enhancement-mode MOS-transistor, enhancement-mode MOSFETмо́щный транзи́стор — power transistorтранзи́стор на криста́ллике — chip transistorнапылё́нный транзи́стор — evaporated transistorобратнодиффу́зный транзи́стор — outdiffused transistorобратнопла́вленный транзи́стор — meltback transistorобращё́нный транзи́стор — inverce transistorоднокра́тно диффу́зионный транзи́стор — single-diffused transistorодноперехо́дный транзи́стор — unijunction transistorоптикоэлектро́нный транзи́стор — electrooptical transistor, optotransistorплана́рный транзи́стор — planar transistorплоскостно́й транзи́стор — junction transistorпове́рхностно-барье́рный транзи́стор — surface-barrier transistorпове́рхностно-сплавно́й транзи́стор — surface-alloy transistorполево́й транзи́стор — field-effect transistor, FETзапере́ть полево́й транзи́стор по управля́ющему электро́ду — gate off a FETотпере́ть полево́й транзи́стор по управля́ющему электро́ду — gate on a FETполево́й транзи́стор с двумя́ затво́рами — double-gate field-effect transistor, double-gate FETполево́й транзи́стор с затво́ром на гетероперехо́де — heterojunction-gate field-effect transistor, heterojunction-gate FETполево́й транзи́стор с изоли́рованным затво́ром — insulated-gate field-effect transistor, IGFETполево́й транзи́стор с индуци́рованным кана́лом — induced-channel field-effect transistor, induced-channel FETпролё́тный транзи́стор — transit-time transistorсверхминиатю́рный транзи́стор — subminiature transistorСВЧ транзи́стор — microwave transistorтранзи́стор с гетероперехо́дом — heterojunction transistorтранзи́стор с инже́кцией носи́телей — injection-type transistorсплавно́й транзи́стор — alloy transistorтранзи́стор с пла́вным перехо́дом — graded-junction transistorтранзи́стор с ре́зкими перехо́дами — abrupt-junction transistorтранзи́стор с эми́ттером встре́чно-штырево́й констру́кции — interdigitated transistor, ITтранзи́стор с эми́ттером гребе́нчатого ти́па — interdigitated transistor, ITтранзи́стор табле́точного ти́па — tab transistorтранзи́стор p [m2]-n [m2]-p [m2]-ти́па — p -n -p -transistorтранзи́стор p [m2]-n [m2]-p [m2]-n [m2]-ти́па — p -n -p -n -transistorтолстоплё́ночный транзи́стор — thick-film transistorтонкоплё́ночный транзи́стор — thin-film transistorто́чечный транзи́стор — point(-contact) transistorтунне́льный транзи́стор — tunnel transistorтя́нутый транзи́стор — grown-junction transistorуниполя́рный транзи́стор — unipolar [field-effect] transistorуправля́ющий транзи́стор — control transistorчетырёхсло́йный транзи́стор — four-layer transistorчетырёхэлектро́дный транзи́стор — four-electrode transistorэпитаксиа́льный транзи́стор — epitaxial transistor -
7 транзистор
м. transistor -
8 МДП-транзистор
abbr1) eng. MIS-Transistor2) brit.engl. Insulated Gate FET, Metal-Insulator-Semiconductor FET3) microel. EFET, Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, Feldeffekttransistor mit isolierter Steuerelektrode, IFET, IGFET, Insulated Gate Field-Effect Transistor, Isolierschicht-FET, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, MISFET, Metal Insulator Silicon Field-Effect Transistor, integrierter MIS-Transistor
См. также в других словарях:
silicon insulated-gate field-effect transistor — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon insulated-gate FET — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
Field-effect transistor — FET redirects here. For other uses, see FET (disambiguation). High power N channel field effect transistor The field effect transistor (FET) is a transistor that relies on an electric field to control the shape and hence the conductivity of a… … Wikipedia
transistor à effet de champ à grille de silicium isolée — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
Feldeffekttransistor mit isoliertem Si-Gate — lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой… … Radioelektronikos terminų žodynas
Transistor — For other uses, see Transistor (disambiguation). Assorted discrete transistors. Packages in order from top to bottom: TO 3, TO 126, TO 92, SOT 23 A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals and power. It… … Wikipedia
Self-aligned gate — A self aligned gate is a design arrangement where a highly doped gate in a MOSFET is used as a mask for the doping of the source and drain around it. This technique ensures that the gate will always overlap the edges of the source and drain. The… … Wikipedia
Darlington transistor — Circuit diagram of a Darlington pair using NPN transistors In electronics, the Darlington transistor (often called a Darlington pair) is a compound structure consisting of two bipolar transistors (either integrated or separated devices) connected … Wikipedia
Unijunction transistor — Unijunction transistors Circuit symbol A unijun … Wikipedia
Эффект поля — в МОП структуре Эффект поля (англ. Field effect) в широком смысле состоит в управлении эле … Википедия
lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated gate FET; silicon insulated gate field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si Gate, m rus. полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором, m… … Radioelektronikos terminų žodynas
